Заводите на Samsung се подготвят за масово производство на чипове

Заводите на Samsung се приготвят за всеобщо произвеждане на чипове по новия 2-нм развой
(снимка: Samsung)

Бизнесът на Samsung с произвеждане на чипове по контракт се сблъсква с компликации при привличане на клиенти за новите 3- и 4-нанометрови софтуерни процеси. Въпреки това предизвикателство, корейската компания напредва с създаването на още по-напреднали технологии, в това число 2-нм развой.

Новият 2-нм развой ще употребява последващо потомство на технологията за транзистори GAA (Gate All Around), която се чака да влезе в всеобщо произвеждане през 2025 година Samsung ще показва технологията на идните индустриални конференции.
още по темата
GAA е нов транзисторен дизайн, който усъвършенства успеваемостта и продуктивността, като разрешава по-добър токов поток. Samsung за първи път вкара технологията GAA в своя 3-нм развой, само че до момента единствено неговите лични процесори Exynos се възползват от нея.

В съпоставяне с 5-нм чипове, първото потомство 3-нм GAA чипове оферират обилни усъвършенствания в намаляването на площта, увеличение на продуктивността и енергийната успеваемост, отбелязва IT Home.

Транзисторният дизайн GAA се смята за огромен прогрес в полупроводниковата промишленост
(снимка: Samsung / YouTube)

Гледайки напред, Samsung възнамерява да създава всеобщо чипове, употребявайки второ потомство 3-нм GAA технология, по-късно през 2024 година Тази технология ще донесе още по-голям прогрес в полупроводниковата промишленост. 

TSMC, главният съперник на Samsung в производството на чипове по контракт, към момента не е възприел технологията GAA, само че се чака тайванците и Intel да стартират да я употребяват в идните си 2-нм процеси.